تیز رفتار سوئچ Thyristor

تفصیل:

تیز رفتار سوئچ thyristor، ایک ہی ساخت اور فیز کنٹرول thyristor کی علامت کے ساتھ، جبکہ بہتر جامد خصوصیات، خاص طور پر متحرک خصوصیات کی اصلاح، کاٹنا، انورٹر اور فریکوئنسی کنورٹر سرکٹ کی اعلی تعدد ایپلی کیشن کی ضرورت ہوتی ہے۔فاسٹ تھائرسٹر کے متحرک پیرامیٹرز میں تیز رفتار ٹرن آن اسپیڈ اور ٹرن آن ایکسپینشن اسپیڈ، کم ریورس ریکوری چارج، اور مختصر ٹرن آف ٹائم، آن سٹیٹ کرنٹ (di/dt) کی ہائی اہم اضافہ کی شرح اور اہم شرح ہے۔ آف اسٹیٹ وولٹیج کا اضافہ (dv/dt)۔ریٹیڈ فریکوئنسی کے اندر تیز تھریسٹر کا ریٹیڈ کرنٹ کم نہیں ہوتا ہے یا جب تعدد بڑھتا ہے تو تھوڑا کم ہوتا ہے۔

RUNAU الیکٹرانکس کی تیز رفتار سوئچ تھائرسٹر مینوفیکچرنگ اسٹینڈرڈ اور پروسیسنگ ٹیکنالوجی کو 1980 کی دہائی سے USA سے متعارف کرایا گیا تھا، چین میں thyristor مینوفیکچرنگ کے علمبردار کے طور پر، RUNAU کی تکنیکی ٹیم نے 30 سال سے زیادہ کا جدید علم اور کافی مینوفیکچرنگ کا تجربہ حاصل کیا تھا۔روایتی مینوفیکچرنگ کے عمل کی بنیاد پر، RUNAU الیکٹرانکس کے باصلاحیت تکنیکی ماہرین نے یورپی مصنوعات کی فائدہ مند خصوصیات کے ساتھ thyristor مینوفیکچرنگ میں جدید ترین ٹیکنالوجی تیار کی ہے، معیار اور کارکردگی بہت بہتر ہوئی ہے، پاور الیکٹرانکس ایپلی کیشنز میں مزید بڑی کامیابیاں حاصل کی گئی ہیں، اور شراکت داروں کے لیے مزید قدر پیدا کی گئی۔

تعارف:

1. چپ

RUNAU Electronics کی طرف سے تیار کردہ thyristor چپ sintered alloying Technology سے کام لیتی ہے۔سیلیکون اور مولیبڈینم ویفر کو خالص ایلومینیم (99.999٪) کے ذریعے اعلی ویکیوم اور اعلی درجہ حرارت کے ماحول میں ملاوٹ کے لیے sintered کیا گیا تھا۔sintering خصوصیات کی انتظامیہ thyristor کے معیار کو متاثر کرنے کا کلیدی عنصر ہے۔RUNAU Electronics کا علم الائے جنکشن کی گہرائی، سطح کی ہمواری، الائے کیویٹی کے ساتھ ساتھ مکمل پھیلاؤ کی مہارت، رنگ کے دائرے کے پیٹرن، خصوصی گیٹ کی ساخت کا انتظام کرنے کے علاوہ۔اس کے علاوہ ڈیوائس کی کیریئر لائف کو کم کرنے کے لیے خصوصی پروسیسنگ کا استعمال کیا گیا تھا، تاکہ اندرونی کیریئر کی بحالی کی رفتار بہت تیز ہو جائے، ڈیوائس کا ریورس ریکوری چارج کم ہو جائے، اور سوئچنگ کی رفتار میں بہتری آئے۔اس طرح کی پیمائشیں تیز رفتار سوئچنگ کی خصوصیات، آن اسٹیٹ خصوصیات، اور موجودہ پراپرٹی کو بڑھانے کے لیے لاگو کی گئی تھیں۔thyristor کی کارکردگی اور ترسیل کا عمل قابل اعتماد اور موثر ہے۔

2. انکیپسولیشن

مولبڈینم ویفر اور بیرونی پیکج کے چپٹے پن اور ہم آہنگی کو سختی سے کنٹرول کرنے سے، چپ اور مولیبڈینم ویفر کو بیرونی پیکج کے ساتھ مضبوطی سے اور مکمل طور پر مربوط کیا جائے گا۔یہ سرج کرنٹ اور ہائی شارٹ سرکٹ کرنٹ کی مزاحمت کو بہتر بنائے گا۔اور الیکٹران بخارات کی ٹکنالوجی کی پیمائش کو سلکان ویفر کی سطح پر ایک موٹی ایلومینیم فلم بنانے کے لیے استعمال کیا گیا تھا، اور مولبڈینم کی سطح پر چڑھائی گئی روتھینیم کی تہہ تھرمل تھکاوٹ کے خلاف مزاحمت کو بہت زیادہ بڑھا دے گی، فاسٹ سوئچ تھائرسٹر کے کام کی زندگی کا وقت نمایاں طور پر بڑھ جائے گا۔

تکنیکی وضاحتیں

1. RUNAU الیکٹرانکس کی طرف سے تیار کردہ الائے ٹائپ چپ کے ساتھ تیز رفتار سوئچ تھائرسٹر_{ٹی اے وی}200A سے 4000A تک اور V_{ڈی آر ایم}/V_{آر آر ایم}1200V سے 4500V تک۔
2. I_GT، وی_GTاور میں_H25℃ پر ٹیسٹ کی اقدار ہیں، جب تک کہ دوسری صورت میں بیان نہ کیا جائے، باقی تمام پیرامیٹرز T کے تحت ٹیسٹ کی اقدار ہیں_jm;
3. I²t = میں²F SM×tw/2, tw= سائنوسائیڈل ہاف ویو کرنٹ بیس چوڑائی۔50Hz پر، I²t=0.005I²FSM(A²S);
4. 60Hz پر: I_{ایف ایس ایم}(8.3ms)=I_{ایف ایس ایم}(10ms)×1.066, T_j=T_j;میں²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

پیرامیٹر: