فیز کنٹرول تھریسٹر (اللوائینگ ٹائپ)

تفصیل:

Thyristor، جسے Silicon Control Rectifier (SCR) بھی کہا جاتا ہے، ایک ہائی پاور سیمی کنڈکٹر ڈیوائس ہے جو تین PN ڈھانچے پر مشتمل ہے۔کارکردگی کے لحاظ سے، thyristor نہ صرف unidirectional conductivity رکھتا ہے، بلکہ اس میں سلیکون ریکٹیفائر عنصر سے بھی زیادہ قیمتی کنٹرولیبلٹی ہے، جو کہ ترسیل اور آف اسٹیٹ کی صرف دو حالتیں ہیں، چھوٹی طاقت کے ساتھ بڑی طاقت کو کنٹرول کرنے کے لیے، پاور ایمپلیفیکیشن سینکڑوں یا سینکڑوں تک۔ ہزاروں بار.ردعمل بہت تیز ہے، مائیکرو سیکنڈ میں آن اور آف ہوتا ہے۔غیر رابطہ آپریشن، کوئی چنگاریاں، کوئی شور نہیں، جبکہ اعلی کارکردگی اور کم قیمت۔لہذا، خاص طور پر ہائی پاور سپلائی سسٹم میں، thyristor بڑے پیمانے پر ریکٹیفائر سرکٹ، سٹیٹک بائی پاس سوئچ، کانٹیکٹ فری آؤٹ پٹ سوئچ اور دیگر سرکٹس میں استعمال ہوتا رہا ہے۔

RUNAU Electronics کی thyristor مینوفیکچرنگ اسٹینڈرڈ اور پروسیسنگ ٹیکنالوجی کو 1980 کی دہائی سے USA سے متعارف کرایا گیا تھا، چین میں thyristor مینوفیکچرنگ کے علمبردار کے طور پر، RUNAU کی تکنیکی ٹیم نے 30 سال سے زیادہ کا جدید علم اور کافی مینوفیکچرنگ کا تجربہ حاصل کیا تھا۔روایتی مینوفیکچرنگ کے عمل کی بنیاد پر، RUNAU الیکٹرانکس کے باصلاحیت تکنیکی ماہرین نے یورپی مصنوعات کی فائدہ مند خصوصیات کے ساتھ thyristor مینوفیکچرنگ میں جدید ترین ٹیکنالوجی تیار کی ہے، معیار اور کارکردگی بہت بہتر ہوئی ہے، پاور الیکٹرانکس کے استعمال میں مزید بڑی کامیابیاں حاصل کی گئی ہیں۔ فیلڈز، اور شراکت داروں کے لیے مزید قدر پیدا کی گئی۔

تعارف:

1. چپ

RUNAU Electronics کی طرف سے تیار کردہ thyristor چپ sintered alloying Technology سے کام لیتی ہے۔سیلیکون اور مولیبڈینم ویفر کو خالص ایلومینیم (99.999٪) کے ذریعے اعلی ویکیوم اور اعلی درجہ حرارت کے ماحول میں ملاوٹ کے لیے sintered کیا گیا تھا۔sintering خصوصیات کی انتظامیہ thyristor کے معیار کو متاثر کرنے کا کلیدی عنصر ہے۔RUNAU Electronics کی جانکاری کے علاوہ الائے جنکشن کی گہرائی، سطح کی چپٹی، الائے کیویٹی کے ساتھ ساتھ مکمل بازی کی مہارت، سینٹر گیٹ، رِنگ سرکل پیٹرن کو thyristor کے قابل اعتماد اور اعلیٰ موثر کنڈکشن آپریشن کے قابل بنانے کے لیے لاگو کیا گیا تھا۔ اعلی معیار کی کارکردگی کو یقینی بنائیں۔

2. انکیپسولیشن

مولبڈینم ویفر اور بیرونی پیکج کے چپٹے پن اور ہم آہنگی کو سختی سے کنٹرول کرنے سے، چپ اور مولیبڈینم ویفر کو بیرونی پیکج کے ساتھ مضبوطی سے اور مکمل طور پر مربوط کیا جائے گا۔یہ سرج کرنٹ اور ہائی شارٹ سرکٹ کرنٹ کی مزاحمت کو بہتر بنائے گا۔اور الیکٹران بخارات کی ٹکنالوجی کی پیمائش کو سلکان ویفر کی سطح پر ایک موٹی ایلومینیم فلم بنانے کے لئے استعمال کیا گیا تھا ، اور مولیبڈینم کی سطح پر چڑھائی گئی روتھینیم کی تہہ تھرمل تھکاوٹ کے خلاف مزاحمت کو بہت زیادہ بڑھا دے گی ، تھائرسٹر کے کام کی زندگی کے وقت میں نمایاں اضافہ ہوگا۔

تکنیکی وضاحتیں

1. RUNAU الیکٹرانکس کی طرف سے تیار کردہ الائے ٹائپ چپ کے ساتھ فیز کنٹرولڈ تھائرسٹر، رینج I_{ٹی اے وی}300A سے 6000A تک اور V_{ڈی آر ایم}/V_{آر آر ایم}800V سے 4400V تک۔
2. I_GT، وی_GTاور میں_H25℃ پر ٹیسٹ کی اقدار ہیں، جب تک کہ دوسری صورت میں بیان نہ کیا جائے، باقی تمام پیرامیٹرز T کے تحت ٹیسٹ کی اقدار ہیں_jm;
3. I²t = میں²F SM×tw/2, tw= سائنوسائیڈل ہاف ویو کرنٹ بیس چوڑائی۔50Hz پر، I²t=0.005I²FSM(A²S);
4. 60Hz پر: I_{ایف ایس ایم}(8.3ms)=I_{ایف ایس ایم}(10ms)×1.066, T_j=T_j;میں²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

پیرامیٹر: